最新有关采用Cr,Nd:YAG微片激光器结构，通过调整泵浦入射光束角度在Cr,Nd:YAG自调Q微片激光器中获得了不同阶数高阶Ince-Gaussian激光光束输出的研究成果发表在最新一期《Laser Physics Letters》（2012年IF: 7.714，JCR物理1区）上。

首次在激光二极管端面泵浦的Cr,Nd:YAG自调Q微片激光器中直接产生高阶Ince-Gaussian（IG）激光光束。在吸收泵浦功率为8.2 W时，Cr,Nd:YAG自调Q微片激光器获得了平均输出功率超过2 W的高阶IG模式激光，光-光转化效率高达25%。采用倾斜、大泵浦光斑激光光束作为泵浦源，在Cr,Nd:YAG自调Q微片激光器中实现了纳秒脉冲宽度、峰值功率高达2 千瓦的不同IG模式激光振荡。在不同泵浦功率下，倾斜泵浦光束导致的增益介质中反转粒子数的分布及Cr4+离子的非线性吸收是在Cr,Nd:YAG自调Q微片激光器中实现高阶IG模式振荡的主要原因。高阶IG模式振荡对Cr,Nd:YAG自调Q微片激光器的激光性能有很大影响。

 研究成果的详细内容见Laser Physics Letters, 10(8): 085803 (2013).

LPL-2013-10_8_085803-Generation of IG Beams in microchip lasers.pdf